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NTD32N06L
4000
3600
3200
2800
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
6
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
2400
2000
1600
1200
C rss
C iss
3
2
800
400
C oss
C rss
1
I D = 32 A
T J = 25 ° C
0
10
5 V GS 0 V DS 5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
24
1000
GATE-T O-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
32
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
V DS = 30 V
I D = 32 A
V GS = 5 V
t r
28
24
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t d(off)
t d(on)
16
12
8
4
10
1
10
100
0
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76
0.8
0.84 0.88
0.92 0.96
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
0 V v V GS v 5 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
350
300
I D = 32 A
100
dc
250
200
10
100 ms
10 ms
1 ms
150
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
100 m s
100
50
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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